| 铝中注N^＋后氮化铝的合成及Cu杂质偏析的研究 |
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| 引用本文： | 林成鲁,李金华.铝中注N^＋后氮化铝的合成及Cu杂质偏析的研究[J].核技术,1994,17(7):411-416. |
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| 作者姓名： | 林成鲁 李金华 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所，常州半导体厂，萨里大学 |
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| 摘 要： | ＜１００＞Ｓｉ衬底上淀积厚度为７００ｎｍ的铝薄膜（铝中含０．８５ｗｔ．％的Ｃｕ）．以剂量为４．３×１０１７－１．５×１０~（１８）ｃｍ~（－２）４００ｋｅｖＮ＿２~＋或３５０ｋｅＶＮ~＋的注入到铝薄膜中或铝和硅的界面。用扩展电阻测试．背散射和沟道技术以及红外光谱分析研究氮化铝的形成和Ｃｕ杂质在铝薄膜中的深度分布变化．扩展电阻与背出射分析证实了符合ＡｌＮ化学计量比的绝缘层的形成．红外分析说明此绝缘层具有ＡｌＮ的特征吸收峰（６５０ｃｍ－１）．Ｎ＋注入引起的点缺陷导致了Ｃｕ杂质向氮化铝中的偏析．
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| 关 键 词： | 氮化铝 离子注入 杂质 偏析 |
Formation of aluminium nitride and segregation of Cu impurity in aluminium implanted by nitrogen ions |
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| Lin Chenglu.Formation of aluminium nitride and segregation of Cu impurity in aluminium implanted by nitrogen ions[J].Nuclear Techniques,1994,17(7):411-416. |
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| Authors: | Lin Chenglu |
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