| 反应烧结碳化硅过程的数学模型 |
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| 引用本文： | 蔡新民,武七德,刘伟安. 反应烧结碳化硅过程的数学模型[J]. 武汉理工大学学报, 2002, 24(4): 48-50 |
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| 作者姓名： | 蔡新民 武七德 刘伟安 |
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| 作者单位： | 1. 武汉理工大学理学院,武汉,430070
2. 武汉大学 |
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| 摘 要： | 考虑不同因素的影响，建立了反应烧结碳化硅反应烧结过程的一组数学模型，它们可表述为一个拟线性的抛物型方程组。
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| 关 键 词： | 反应烧结 碳化硅陶瓷 数学模型 拟线性 势物型方程组 |
| 文章编号： | 1671-4431(2002)04-0048-03 |
| 修稿时间： | 2001-11-19 |
Mathematical Models for the Process of Reaction Bonded Silicon Carbide |
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| Abstract: | Several mathematical models for reaction process of reaction bonded silicon carbide are set up, which are quasi linear parabolic systems. |
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| Keywords: | reaction bonded silicon carbide mathematical model quasi linear parabolic systems |
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