| 栅长L对GGNMOS抗静电能力的影响 |
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| 引用本文： | 李若瑜 李斌 罗宏伟. 栅长L对GGNMOS抗静电能力的影响[J]. 电路与系统学报, 2005, 10(5): 93-96 |
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| 作者姓名： | 李若瑜 李斌 罗宏伟 |
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| 作者单位： | [1]华南理工大学微电子学系,广东广州510640 [2]信息产业部电子第五研究所分析中心电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室,广东广州510610 |
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| 基金项目： | 国家预研基金，国家重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 本文讨论了ESD保护器件GGNMOS(Gate Grounded NMOS)的栅长对其抗静电能力的影响,并用MEDICI进行仿真验证.基于仿真结果首次讨论了GGNMOS的栅长对其一次击穿电压、二次击穿电压和电流、导通电阻、耗散功率等的作用.
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| 关 键 词： | 器件仿真 |
| 文章编号： | 1007-0249（2005）05-0093-04 |
| 收稿时间： | 2005-02-03 |
| 修稿时间： | 2005-03-22 |
The dependence of GGNMOS ESD robustness on its gate length |
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| LI Ruo-yu, LI Bin , LUO Hong-wei. The dependence of GGNMOS ESD robustness on its gate length[J]. Journal of Circuits and Systems, 2005, 10(5): 93-96 |
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| Authors: | LI Ruo-yu LI Bin LUO Hong-wei |
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| Abstract: | This paper discusses how the gate length of GGNMOS (Gate Grounded NMOS) affects its ESD robustness. Further analysis is conducted on the dependence of breakdown voltage, second breakdown voltage/current, turn-on resistance and dissipated power on gate length, based on MEDICI simulation. |
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| Keywords: | ESD GGNMOS MEDICI |
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