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应用氢化无定形硅(α-Si:H)的p-i-n结构视象管靶
作者姓名:
I.Shimizu
谭芷琼
摘 要:
用硅烷(S_iH_4)的高频辉光放电制备的无定形硅制作了P—i—n结构视象管靶,在光敏层和涂有透明导电极(SnO_2:Sb)的基片之间有一薄层掺磷的n型无定形硅,它阻挡了空穴的注入,对可见光获得了极好的光谱响应。
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