| 非致冷红外探测器用氧化钒多晶薄膜的制备 |
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| 引用本文： | 王宏臣 易新建 陈四海 黄光 李雄伟. 非致冷红外探测器用氧化钒多晶薄膜的制备[J]. 红外与毫米波学报, 2004, 23(1): 64-66 |
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| 作者姓名： | 王宏臣 易新建 陈四海 黄光 李雄伟 |
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| 作者单位： | 华中科技大学光电子工程系,湖北,武汉,430074;华中科技大学光电子工程系,湖北,武汉,430074;华中科技大学激光国家重点实验室,湖北,武汉,430074;中国科技大学图象识别和人工智能教育部重点实验室,湖北,武汉,430074;华中科技大学光电子工程系;华中科技大学激光国家重点实验室,湖北,武汉,430074 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 ( 60 10 60 0 3 ) |
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| 摘 要： | 采用离子束溅射镀膜和氧化工艺在Si(110)和石英衬底上制备了用于非致冷红外探测器阵列热敏材料的混合相氧化钒多晶薄膜．扫描电子显微镜(SEM)照片显示：薄膜表面呈针状晶粒状，而且薄膜表面光滑、致密，均匀性好．测试结果表明：氧化钒薄膜的方块电阻和电阻温度系数(TCR)在20℃分别为50KΩ和-0.021K^-1。
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| 关 键 词： | 氧化钒薄膜 离子束溅射 电阻温度系数 非致冷红外探测器 |
| 文章编号： | 1001-9014(2004)01-0064-03 |
| 收稿时间： | 2002-06-13 |
| 修稿时间： | 2002-06-13 |
FABRICATION OF VANADIUM OXIDES POLYCRYSTALLINE THIN FILM FOR UNCOOLED IR DETECTORS |
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| WANG Hong-Chen,YI Xin-Jian,CHEN Si-Hai,HUANG Guang,LI Xiong-Wei. FABRICATION OF VANADIUM OXIDES POLYCRYSTALLINE THIN FILM FOR UNCOOLED IR DETECTORS[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2004, 23(1): 64-66 |
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| Authors: | WANG Hong-Chen YI Xin-Jian CHEN Si-Hai HUANG Guang LI Xiong-Wei |
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| Abstract: | Polycrystalline Vanadium Oxides thin films deposited on Si(110) and quartz substrates for thermo-sensitive material of uncooled IR detector arrays were fabricated by ion beam sputtering deposition and oxide process.SEM photography indicates that VO x thin films with acerose crystal constructor are smooth, compact and uniform. The test result shows that the square resistance and the temperature coefficient of resistance(TCR) of the VO x thin film are 50KΩ and -0.021K-1 at 20℃, respectively. |
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| Keywords: | vanadium oxides thin film ion beam sputtering temperature coefficient of resistance uncooled IR detectors |
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