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宽禁带半导体器件环境适应性验证技术
引用本文:汪邦金,朱华顺,关宏山.宽禁带半导体器件环境适应性验证技术[J].雷达科学与技术,2011,9(5):469-473.
作者姓名:汪邦金  朱华顺  关宏山
作者单位:中国电子科技集团公司第三十八研究所,安徽合肥,230088
基金项目:核心电子器件、高端通用芯片、基础软件产品科技重大专项资金项目
摘    要:应用验证是新型元器件走向实际工程应用必不可少的关键环节。从实际工程应用角度出发,给出了宽禁带半导体(SiC/GaN等)微波功率器件环境适应性验证过程中的验证分级(解决及时发现问题与验证周期、费用矛盾)、验证载体与工程应用统一性设计(器件研制源于工程、用于工程)、验证数据的可对比性设计(验证环节可追溯)方法及相关分析(指导工程设计),为宽禁带半导体微波功率器件的工程化研制提供数据支撑。文中的试验数据和设计思想可作为其他相关工程设计参考。

关 键 词:宽禁带半导体  应用验证  微波模块  组件

Environmental Suitability Validation Technology for Wide Bandgap Semiconductor Devices
WANG Bang-jin,ZHU Hua-shun,GUAN Hong-shan.Environmental Suitability Validation Technology for Wide Bandgap Semiconductor Devices[J].Radar Science and Technology,2011,9(5):469-473.
Authors:WANG Bang-jin  ZHU Hua-shun  GUAN Hong-shan
Affiliation:(No. 38 Research Institute of CETC, Hefei 230088, China)
Abstract:Applicational validation is the key step for a new device to engineering application. From practical engineering application, this paper provides the validation classification to solve the conflict between finding question in time and validation periods or expenses, the oneness design for validation carrier and engineering application, the eontrastive design for the validation data and the correlation analysis in the environmental suitability validation of wide bandgap semiconductor(SiC/GaN etc) power devices. It also provides data support for the engineering manufacture of wide bandgap semiconductor power devices. The test data and design thought may be useful to other engineering design.
Keywords:wide bandgap semiconductor  applicational validation  microwave module  module
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