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CdZnTe晶体(111)面、(110)面和(100)面的蚀坑形貌观察
引用本文:陈俊,朱世富,赵北君,高德友,魏昭荣,李含冬,韦永林,唐世红. CdZnTe晶体(111)面、(110)面和(100)面的蚀坑形貌观察[J]. 功能材料, 2004, 35(Z1): 3320-3322
作者姓名:陈俊  朱世富  赵北君  高德友  魏昭荣  李含冬  韦永林  唐世红
作者单位:四川大学,材料科学系,四川,成都,610064
基金项目:国家自然科学基金(60276030);教育部博士点基金资助(20020610023)
摘    要:利用CdZnte晶体晶面夹角之间的关系采用激光正反射法对改进布里奇曼法生长的CdZnTe单晶进行定向,研磨出了CdZnTe单晶体的(111)、(100)面.采用自行研制的HHKA腐蚀液对三个面进行择优腐蚀,得到了(111)、(100)和(110)面的腐蚀照片,并计算出了蚀坑密度(EPD)约为104~105/m2数量级.结果表明生长晶体的质量较好.

关 键 词:晶体生长  蚀坑密度  布里奇曼法  晶体定向
文章编号:1001-9731(2004)增刊-3320-03
修稿时间:2004-05-20

The etch pit shapes observation of (111)、 (110) and (100) faces of CZT crystals
CHEN Jun,ZHU Shi-fu,ZHAO Bei-jun,GAO De-you,WEI Yong-lin,TANG Shi-hong,WEI Zhao-rong,LI Han-dong. The etch pit shapes observation of (111)、 (110) and (100) faces of CZT crystals[J]. Journal of Functional Materials, 2004, 35(Z1): 3320-3322
Authors:CHEN Jun  ZHU Shi-fu  ZHAO Bei-jun  GAO De-you  WEI Yong-lin  TANG Shi-hong  WEI Zhao-rong  LI Han-dong
Abstract:
Keywords:
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