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| 77K低温下MOSFET非固有电容参数提取研究 | |
| 引用本文： | 胡彦博,李煜,白丕绩,李敏,刘会平,李所英.77K低温下MOSFET非固有电容参数提取研究[J].红外技术,2013,35(1):9-15. |
| 作者姓名： | 胡彦博 李煜 白丕绩 李敏 刘会平 李所英 |
| 作者单位： | 胡彦博:昆明物理研究所, 云南 昆明 650223 李煜:昆明物理研究所, 云南 昆明 650223 白丕绩:昆明物理研究所, 云南 昆明 650223 李敏:昆明物理研究所, 云南 昆明 650223 刘会平:昆明物理研究所, 云南 昆明 650223 李所英:昆明物理研究所, 云南 昆明 650223 |
| 摘 要： | 77K低温参数是制冷型碲镉汞红外焦平面探测器读出电路设计与精确仿真的关键点之一。通过研究MOSFET非固有电容的特性,并基于BSIM3通用模型对电容的描述,在77K低温下进行测试提取,得到了相关的模型参数。嵌入SPICE软件仿真对比,证明了参数的准确性。 |
| 关 键 词： | 77K低温 MOSFET 非固有电容 参数提取 |
| 收稿时间： | 2012/10/26 |
Parameter Extraction of Extrinsic Capacitance of MOSFET at 77 K Cryogenic Temperature |
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| Affiliation: | HU Yan-bo,LI Yu,BAI Pi-ji,LI Min,LIU Hui-ping,LI Suo-yin (Kunming Institute of Physics,Kunming 650223,China) |
| Abstract: | |
| Keywords: | 77K cryogenic MOSFET extrinsic capacitance parameter extraction |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |