| 氨化Si基Ga2O3/Co薄膜制备GaN纳米线 |
| |
| 引用本文： | 秦丽霞,薛成山,庄惠照,陈金华,李红,杨兆柱.氨化Si基Ga2O3/Co薄膜制备GaN纳米线[J].功能材料,2008,39(5):851-853. |
| |
| 作者姓名： | 秦丽霞 薛成山 庄惠照 陈金华 李红 杨兆柱 |
| |
| 作者单位： | 山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金
,
国家自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | 采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Co薄膜,然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜.X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的分析结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米线的形貌,纳米线的尺寸在 50～200nm之间.
|
| 关 键 词： | 磁控溅射 GaN纳米线 Co |
| 文章编号： | 1001-9731(2008)05-0851-02 |
| 修稿时间： | 2007年9月14日 |
Synthesis of GaN nanowires by ammoniating sputtered Ga2O3/Co films on Si substrates |
| |
| QIN Li-xia,XUE Cheng-shan,ZHUANG Hui-zhao,CHEN Jin-hua,LI Hong,YANG Zhao-zhu.Synthesis of GaN nanowires by ammoniating sputtered Ga2O3/Co films on Si substrates[J].Journal of Functional Materials,2008,39(5):851-853. |
| |
| Authors: | QIN Li-xia XUE Cheng-shan ZHUANG Hui-zhao CHEN Jin-hua LI Hong YANG Zhao-zhu |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
