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氟化钙晶体的生长与缺陷研究
引用本文:侍敏莉  陆宝亮  徐家跃. 氟化钙晶体的生长与缺陷研究[J]. 功能材料, 2004, 35(Z1): 192-194
作者姓名:侍敏莉  陆宝亮  徐家跃
作者单位:侍敏莉(中国科学院,上海硅酸盐研究所,上海,200050);陆宝亮(中国科学院,上海硅酸盐研究所,上海,200050);徐家跃(中国科学院,上海硅酸盐研究所,上海,200050)
摘    要:采用真空坩埚下降法在石墨坩埚中生长了大尺寸CaF2晶体.通过高温氟化获得无水高纯原料,自发成核发育籽晶,以<2mm/h的生长速率,成功生长了直径170mm的CaF2晶体.研究了晶体的顶部析晶形貌、包裹体、解理等生长缺陷.

关 键 词:氟化钙  坩埚下降法  晶体生长  缺陷
文章编号:1001-9731(2004)增刊-0192-03
修稿时间:2004-05-05

Growth and defects of CaF2crystals
SHI Min-li. Growth and defects of CaF2crystals[J]. Journal of Functional Materials, 2004, 35(Z1): 192-194
Authors:SHI Min-li
Abstract:
Keywords:
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