6H—SiC平面状及圆柱状p^＋n结击穿电压的分析

采用有效电离系数导出了６Ｈ－ＳｉＣ平面状及圆柱状ｐ＾＋ｎ结击穿电压的分析表达式，有效电离系数是由电子和空穴的电离系数获得的。示出在平面状情况下，基区掺杂浓度在１０＾１６￣４×１７＾１７ｃｍ＾－３区间内，所计算的击穿电场和击穿电压与所公布的实验结果完全一致。所得分析结果可用于对６Ｈ－ＳｉＣ器件中击穿电压作出简单的预测。