| 一种改进的BiCMOS工艺欠压锁存电路的设计 |
| |
| 引用本文： | 王瑾,田泽,李攀,周密,刘力军,唐宏震.一种改进的BiCMOS工艺欠压锁存电路的设计[J].现代电子技术,2007,30(24):182-184. |
| |
| 作者姓名： | 王瑾 田泽 李攀 周密 刘力军 唐宏震 |
| |
| 作者单位： | 西北大学,信息科学与技术学院,陕西,西安,710127 |
| |
| 基金项目： | 陕西省西安-美国应用材料创新基金 |
| |
| 摘 要： | 针对DC-DC电源管理芯片中所必需的欠压锁存功能,利用带隙基准电压源的原理,提出一种新的改进的UV-LO(欠压锁存)电路的设计,实现了欠压锁存的阈值点和迟滞量,成功地实现了欠压锁存电路的预定功能。基于0.6μm BiC-MOS工艺,HSpice软件仿真的结果表明所设计的UVLO电路具有结构简单、温度漂移小、功耗低等特点,性能有很大改善,满足了芯片的需要。
|
| 关 键 词： | 欠压锁存 带隙基准 滞回区间 |
| 文章编号： | 1004-373X（2007）24-182-03 |
| 收稿时间： | 2007-06-12 |
| 修稿时间： | 2007年6月12日 |
Design of an Improved under Voltage Lock Out Circuit Based on BiCMOS Process |
| |
| WANG Jin,TIAN Ze,LI Pan,ZHOU Mi,LIU Lijun,TANG Hongzhen.Design of an Improved under Voltage Lock Out Circuit Based on BiCMOS Process[J].Modern Electronic Technique,2007,30(24):182-184. |
| |
| Authors: | WANG Jin TIAN Ze LI Pan ZHOU Mi LIU Lijun TANG Hongzhen |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | BiCMOS |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
