| 直流磁控反应溅射工艺参数对SnO2:Sb薄膜光学带隙的影响 |
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| 引用本文： | 陈甲林,张君,赵青南. 直流磁控反应溅射工艺参数对SnO2:Sb薄膜光学带隙的影响[J]. 河南建材, 2004, 0(4): 7-9 |
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| 作者姓名： | 陈甲林 张君 赵青南 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学硅酸盐实验室,430070;武汉理工大学硅酸盐实验室,430070;武汉理工大学硅酸盐实验室,430070 |
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| 摘 要： | 利用紫外-可见光谱仪对直流磁控反应溅射工艺参数对SnO2:Sb薄膜光学带隙的影响进行了研究.结果表明:SnO2:Sb薄膜的光学带隙随着溅射功率的增加而减小,随着氧气分压的增加而增大,随着退火温度的增加而增大.同时,工艺参数还对薄膜的其它性质有影响.
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| 关 键 词： | 直流磁控反应溅射 紫外-可见光谱仪 光学带隙 |
| 修稿时间： | 2004-07-28 |
Influence of r.f.magnetron sputtering processing conditions on the optic-band gap of SnO2:Sb thin film |
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