| 液相外延原位Au掺杂碲镉汞薄膜材料的研究 |
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| 引用本文： | 胡尚正,郭明珠,刘铭,吴卿,折伟林,杨海燕,孙浩,周立庆.液相外延原位Au掺杂碲镉汞薄膜材料的研究[J].激光与红外,2017,47(7):838-841. |
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| 作者姓名： | 胡尚正 郭明珠 刘铭 吴卿 折伟林 杨海燕 孙浩 周立庆 |
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| 作者单位： | 华北光电技术研究所,北京 100015 |
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| 摘 要： | 通过液相外延方法,在碲锌镉衬底上制备了原位Au掺杂碲镉汞薄膜材料,采用金相显微镜、X光双晶衍射仪、二次离子质谱仪、Hall测试、少子寿命测试等手段对Au掺杂的碲镉汞薄膜材料进行了表征,外延片的表面形貌、晶格质量等和常规的碲镉汞外延材料基本相当,少子寿命较常规材料提高至少一个量级,芯片R0A提高至少5倍,并成功制备出了截止波长为10 μm的256×256探测器芯片,响应率非均匀性为2.85%,有效像元率为99.2%。
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| 关 键 词： | 碲镉汞 液相外延 Au掺杂 |
Reasearch on Au-doped HgCdTe epilayer growth by LPE |
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| HU Shang-zheng,GUO Ming-zhu,LIU Ming,WU Qing,SHE Wei-lin,YANG Hai-yan,SUN Hao,ZHOU Li-qing.Reasearch on Au-doped HgCdTe epilayer growth by LPE[J].Laser & Infrared,2017,47(7):838-841. |
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| Authors: | HU Shang-zheng GUO Ming-zhu LIU Ming WU Qing SHE Wei-lin YANG Hai-yan SUN Hao ZHOU Li-qing |
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| Affiliation: | North China Research Institute of Electro-optics,Beijing 100015,China |
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| Keywords: | HgCdTe LPE Au doping |
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