| 双离子束溅射Al_(2)O_(3)高温绝缘薄膜的氧分压研究 |
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| 引用本文： | 闫 博,黄漫国,郭林琪,梁晓波,张丛春.双离子束溅射Al_(2)O_(3)高温绝缘薄膜的氧分压研究[J].测控技术,2022,41(12):8-12. |
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| 作者姓名： | 闫 博 黄漫国 郭林琪 梁晓波 张丛春 |
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| 作者单位： | 上海交通大学 电子信息与电气工程学院 微纳电子学系;航空工业北京长城航空测控技术研究所 先进传感器技术中心
状态监测特种传感技术航空科技重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划（2020YFB200102）；国家基础研究项目（2019-JCJQ-ZD-309） |
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| 摘 要： | 采用双离子束溅射沉积法(DIBSD)制备了用作高温绝缘层的Al_(2)O_(3)薄膜,分析了所制备Al_(2)O_(3)薄膜的表面和截面形貌,研究了溅射氧分压对薄膜氧铝元素比的影响,并进一步探讨了氧铝元素比对Al_(2)O_(3)薄膜高温绝缘性能的影响。研究结果表明:双离子束溅射沉积法制备的Al_(2)O_(3)薄膜表面平整度高,粗糙度约为2.86 nm,截面形貌致密,没有微裂纹、空隙等缺陷;溅射氧分压的提高可以增加所制备Al_(2)O_(3)薄膜的氧铝元素比例,18%溅射氧分压下制备的Al_(2)O_(3)薄膜O∶Al约为1.44,接近Al_(2)O_(3)化合物的元素比;18%氧分压溅射的Al_(2)O_(3)薄膜,在1000℃具有6.5 MΩ的绝缘电阻值,高温绝缘性能良好。
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| 关 键 词： | 双离子束溅射沉积法 Al_(2)O_(3)薄膜 高温绝缘 溅射氧分压 氧铝元素比 |
Study on Dual Ion Beam Sputtering Oxygen Partial Pressure of Al2O3 High Temperature Resistant Insulating Thin Film |
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