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基于 CPU 和 DDR 芯片的 SiP 封装可靠性研究
引用本文:唐宇,廖小雨,骆少明,王克强,李国元.基于 CPU 和 DDR 芯片的 SiP 封装可靠性研究[J].电子元件与材料,2015,34(4):79-83.
作者姓名:唐宇  廖小雨  骆少明  王克强  李国元
作者单位:1. 仲恺农业工程学院自动化学院,广东广州 510225;华南理工大学电子与信息学院,广东广州510640
2. 华南理工大学电子与信息学院,广东广州,510640
3. 仲恺农业工程学院自动化学院,广东广州,510225
基金项目:中国博士后科学基金项目资助(No.2014M552193);中央高校基本科研业务费项目资助(自然科学类)博士启动项目资助(No.2014ZB0032);广东省自然科学基金项目资助(No.S2013020012890);广东省科技计划项目资助(No.2013B010403003)
摘    要:利用 Abaqus 有限元分析方法分析了温度循环条件下 CPU 和 DDR 双芯片 SiP 封装体的应力和应变分布。比较了相同的热载荷下模块尺寸以及粘结层和塑封体的材料属性对 SiP 封装体应力应变的影响。结果表明,底层芯片、粘结层和塑封体相接触的四个边角承受最大的应力应变。芯片越薄,SiP 封装体所承受的应力越大;粘结层越薄,SiP 封装体所承受的应力越小。塑封体的材料属性比粘结层的材料属性更显著影响 SiP 封装体应力应变,当塑封体的热膨胀系数或杨氏模量越大时,SiP 封装体所受应力也越大。

关 键 词:系统级封装  可靠性    温度循环  应力  应变  有限元分析

Reliability study of system in package consisting of CPU and DDR chips
TANG Yu , LIAO Xiaoyu , LUO Shaoming , WANG Keqiang , LI Guoyuan.Reliability study of system in package consisting of CPU and DDR chips[J].Electronic Components & Materials,2015,34(4):79-83.
Authors:TANG Yu  LIAO Xiaoyu  LUO Shaoming  WANG Keqiang  LI Guoyuan
Affiliation:TANG Yu;LIAO Xiaoyu;LUO Shaoming;WANG Keqiang;LI Guoyuan;College of Automation, Zhongkai University of Agriculture and Engineering;School of Electronic and Information Engineering, South China University of Technology;
Abstract:
Keywords:systeminpackage  reliability  temperature cycle  stress  strain  finite element analysis
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