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N 型背接触晶硅太阳电池前表面场研究
引用本文:周涛,赵洋,陆晓东,张鹏,李媛. N 型背接触晶硅太阳电池前表面场研究[J]. 电子元件与材料, 2015, 34(4): 14-18
作者姓名:周涛  赵洋  陆晓东  张鹏  李媛
作者单位:渤海大学新能源学院,辽宁锦州,121000
基金项目:辽宁省教育厅一般项目资助(No.L2012401)
摘    要:利用 Silvaco 公司的 Athena 工艺仿真软件和 Atlas 器件仿真软件,对 N 型插指背结背接触(InterdigitatedBack Contact,IBC)晶硅太阳电池普遍采用的前表面场(FSF)结构进行研究,详细分析了 IBC 晶硅电池 FSF 表面掺杂浓度及扩散深度对电池性能的影响。结果表明:具有不同表面掺杂浓度和扩散深度的 FSF 对 IBC 晶硅太阳电池短路电流密度(Jsc)、开路电压(Voc)和填充因子(FF)产生显著影响,从而影响电池的转换效率(Eff)。具有较低表面浓度、深扩散 FSF 结构的 IBC 晶硅太阳电池可获得较高转换效率,当表面掺杂浓度为 5×1017cm–3时,电池转换效率Eff最高,且随 FSF 扩散深度增加略有增加,最高转换效率可达 22.3%。

关 键 词:背接触;晶硅太阳电池;前表面场;掺杂浓度;Silvaco;量子效率;转换效率

Front surface field on N type back contact crystalline silicon solar cell
ZHOU Tao , ZHAO Yang , LU Xiaodong , ZHANG Peng , LI Yuan. Front surface field on N type back contact crystalline silicon solar cell[J]. Electronic Components & Materials, 2015, 34(4): 14-18
Authors:ZHOU Tao    ZHAO Yang    LU Xiaodong    ZHANG Peng    LI Yuan
Affiliation:ZHOU Tao;ZHAO Yang;LU Xiaodong;ZHANG Peng;LI Yuan;School of New Energy, Bohai University;
Abstract:
Keywords:back contact  crystalline silicon solar cell  front surface field  doping concentration  Silvaco  quantum efficiency  conversion efficiency
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