| 缺陷富勒烯C20分子器件的电子输运研究 |
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| 引用本文： | 张鸿宇,王利光,李勇,郁鼎文.缺陷富勒烯C20分子器件的电子输运研究[J].半导体情报,2008,45(2):69-73. |
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| 作者姓名： | 张鸿宇 王利光 李勇 郁鼎文 |
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| 作者单位： | [1]江南大学理学院,江苏无锡214122 [2]清华大学摩擦学国家重点实验室微纳制造分室,北京100084 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划（973计划）项目（2003CB716204）;教育部国际合作研究项目（20060360563） |
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| 摘 要： | 运用基于第一性原理密度泛函理论（DFT）的非平衡格林函数（NEGF）方法，对正十二面体富勒烯C20分子及其有缺陷的C20分子进行了电子输运性质的研究。通过计算得出了模拟的电子透射谱线。通过比较不同缺陷的分子的传导特性，获得了C20的电子输运特点。通过比较发现，几乎所有情况下缺陷器件的传输概率在电子能量大于0．52eV时都大约是10^-10，几乎没有电子透过，所以这种器件可以作为一种响应很好的电子开关；而器件中原子的缺失并没有造成电子传输路径的中断，在大多数情况下，在原子缺失处反而产生更多的传输路径，通路的增多使得器件传输能力得到提高。
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| 关 键 词： | 富勒烯C20 分子器件 密度泛函理论 非平衡格林函数 电子输运 |
| 文章编号： | 1671-4776（2008）02-0069-05 |
| 收稿时间： | 2007-10-23 |
Study on Electronic Conductance of C20 Fullerence with Defect |
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| Zhang Hongyu, Wang Liguang, Li Yong, Yu Dingwen.Study on Electronic Conductance of C20 Fullerence with Defect[J].Semiconductor Information,2008,45(2):69-73. |
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| Authors: | Zhang Hongyu Wang Liguang Li Yong Yu Dingwen |
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