| 大直径重掺硅单晶工艺研究 |
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| 引用本文： | 莫宇,韩焕鹏.大直径重掺硅单晶工艺研究[J].电子工业专用设备,2015(2):1-3,30. |
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| 作者姓名： | 莫宇 韩焕鹏 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220 |
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| 摘 要： | 重掺单晶一些独有的特性,能有效解决目前集成电路面临的一些难题。对大直径重掺硅单晶生长过程中的一些工艺进行了研究,主要包括掺杂方式和拉速设定两个方面,通过实验分析,选取了适宜的掺杂方式与拉速,最终生长出外形良好,符合电阻率目标要求的单晶。
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| 关 键 词： | 硅单晶 重掺磷 掺杂 拉速 |
Research of the Big Diameter Heavy Doped Silicon Crystal |
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| MO yu,HAN Huanpeng.Research of the Big Diameter Heavy Doped Silicon Crystal[J].Equipment for Electronic Products Marufacturing,2015(2):1-3,30. |
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| Authors: | MO yu HAN Huanpeng |
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| Affiliation: | MO yu;HAN Huanpeng;The 46th Research institute of CETC; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Silicon single crystal H eavy doped phosphorus D oping m ethod G row th speed |
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