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Preparation,structure and electrical properties of epitaxial films of Ga2O3 on sapphire substrates
Authors:G.V. Chaplygin  S.A. Semiletov
Affiliation:Institute of Crystallography, Academy of Sciences of the U.S.S.R., 59 Leninsky Prospekt, Moscow B-333 U.S.S.R.
Abstract:
Keywords:
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