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3 GHz CMOS低噪声放大器的优化设计
引用本文:尚林林,杨红官,郭友洪,曾云.3 GHz CMOS低噪声放大器的优化设计[J].微计算机信息,2008,24(14):285-287.
作者姓名:尚林林  杨红官  郭友洪  曾云
作者单位:尚林林(湖南大学);杨红官(湖南大学);郭友洪(湖南大学);曾云(湖南大学)
基金项目:湖南省高校青年骨干教师培养基金 , 湖南省自然科学基金
摘    要:基于0.18 μm CMOS工艺,采用共源共栅源极负反馈结构,设计了一种3 GHz低噪声放大器电路.从阻抗匹配及噪声优化的角度分析了电路的性能,提出了相应的优化设计方法.仿真结果表明,该放大器具有良好的性能指标,功率增益为23.4dB,反向传输系数为-25.9 dB,噪声系数为1.1 dB,1dB压缩点为-13.05 dBm.

关 键 词:低噪声放大器  噪声系数  线性度  CMOS工艺  CMOS  Low  Noise  Amplifier  低噪声放大器  优化设计  Design  压缩  噪声系数  传输系数  功率增益  性能指标  仿真结果  设计方法  放大器电路  角度分析  噪声优化  阻抗匹配  反馈结构  共源共栅  工艺
文章编号:1008-0570(2008)05-2-0285-03
修稿时间:2008年3月13日

Optimum Design of 3 GHz CMOS Low Noise Amplifier
SHANG Lin-lin,YANG Hong-guan,GUO You-hong,ZENG Yun.Optimum Design of 3 GHz CMOS Low Noise Amplifier[J].Control & Automation,2008,24(14):285-287.
Authors:SHANG Lin-lin  YANG Hong-guan  GUO You-hong  ZENG Yun
Abstract:
Keywords:
本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录!
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