| 深亚微米CMOS IC抗噪声ESD保护电路的设计 |
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| 引用本文： | 陈曦,庄奕琪,罗宏伟,胡净,韩孝勇. 深亚微米CMOS IC抗噪声ESD保护电路的设计[J]. 微电子学, 2003, 33(5): 439-442 |
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| 作者姓名： | 陈曦 庄奕琪 罗宏伟 胡净 韩孝勇 |
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| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学,微电子学研究所,陕西,西安,710071
2. 信息产业部,电子第五研究所,广东,广州,510610 |
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| 摘 要： | CMOS工艺技术缩小到深亚微米阶段，电路的静电(ESD)保护能力受到了更大的限制。因此，需要采取更加有效并且可靠的静电放电保护设计。文章提出了一种新型的ESD保护电路，以LVTSCR结构为基础，结合栅耦合技术以及抗噪声干扰技术。这种新型电路即使被意外触发也不会引起闩锁效应，提高了ESD保护电路的可靠性，实现了全芯片保护。
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| 关 键 词： | 深亚微米CMOS 噪声 ESD保护电路 静电保护 可靠性设计 集成电路 |
| 文章编号： | 1004-3365(2003)05-0439-04 |
| 修稿时间： | 2002-09-19 |
A Noise Immune ESD Protection Circuit for Deep Submicron CMOS IC''''s |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS Deep submicron Integrated circuit Electrostatic discharge LVTCSR Design for reliability Noise immune |
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