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| 我国在非极性GaN材料研究中取得进展 | |
| 摘 要： | 在国家863项目和中国科学院创新工程的支持下，中科院半导体研究所曾一平研究员带领的课题，采用自行研制的HVPE氮化物生长系统，通过在m面蓝宝石上磁控溅射生长薄层的ZnO缓冲层，进而外延生长获得了非极性GaN厚膜材料，该材料具有较低的位错密度，适合开发用于LED、LD等氮化物发光器件的衬底材料，同时对比实验表明，薄层的ZnO对于形成非极性GaN起到了至关重要的作用， |
| 关 键 词： | GaN材料 非极性 ZnO缓冲层 生长系统 中国科学院 863项目 创新工程 HVPE |
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