| 用于红外探测的非晶硅薄膜晶体管 |
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| 引用本文： | 韩琳,刘兴明,刘理天.用于红外探测的非晶硅薄膜晶体管[J].半导体光电,2006,27(4):393-395,401. |
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| 作者姓名： | 韩琳 刘兴明 刘理天 |
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| 作者单位： | 清华大学,微电子学研究所,北京,100084 |
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| 摘 要： | 非晶硅薄膜晶体管由于其较高的沟道电流温度系数而被用于非致冷型红外探测器.在工艺参数仿真的基础上成功地研制了离子注入型背栅非晶薄膜晶体管,并得到了典型的输出特性.制作出的晶体管具有较高的沟道电流温度变化系数,而且制作过程简单,并能与常规IC工艺兼容,制作温度不超过300 ℃.
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| 关 键 词： | 薄膜晶体管 非晶硅 离子注入 红外探测器 非晶硅薄膜晶体管 Sensors Infrared 工艺兼容 制作过程 变化系数 电流温度系数 沟道电流 输出特性 离子注入 参数仿真 非致冷 |
| 文章编号： | 1001-5868（2006）04-0393-03 |
| 收稿时间： | 2005-11-01 |
| 修稿时间： | 2005-11-01 |
a-Si Thin Film Transistor for Infrared Sensors |
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| HAN Lin,LIU Xing-ming,LIU Li-tian.a-Si Thin Film Transistor for Infrared Sensors[J].Semiconductor Optoelectronics,2006,27(4):393-395,401. |
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| Authors: | HAN Lin LIU Xing-ming LIU Li-tian |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing 100084,CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | thin film transistor amorphous silicon ion implantation |
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