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| 空气烧成SrTiO_3边界层电容器的研究 | |
| 引用本文： | 钟吉品,王鸿.空气烧成SrTiO_3边界层电容器的研究[J].硅酸盐学报,1988(5). |
| 作者姓名： | 钟吉品 王鸿 |
| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 (钟吉品)，中国科学院上海硅酸盐研究所(王鸿) |
| 摘 要： | 研究了施主掺杂量,烧成后的冷却条件、氧化温度对SrTiO_3半导化的影响。施主添加量和高温烧结后冷却时的边界氧化是获得良好性能的边界层电容器的两个关键因素。实验结果指出,0.5mol％的Nb_2O_5添加量为最佳值。急冷至室温可防止边界氧化。在空气中烧成并急冷至室温的样品,涂复扩散受主杂质,能获得ε_(eff)为30000,绝缘电阻率大于10~(11)Ω·cm的边界层电容器。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |