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| 区熔工艺和中照条件对NTD FZ(H)-Si单晶退火行为的影响 | |
| 作者姓名： | 陈燕生 李秋生 王丛华 陈炳贤 高秀清 |
| 作者单位： | 北京科技大学(陈燕生，李秋生，王丛华)，中国原子能科学研究院(陈炳贤)，中国原子能科学研究院(高秀清) |
| 摘 要： | 采用后热区熔工艺的NTD FZ(H)-Si单晶,其退火曲线与常规区熔(氢)工艺控制的NTD FZ(H)-Si单晶退火曲线一样,有氢施主,而采用后冷区熔工艺的NTD FZ(H)-Si单晶其退火曲线没有氢施主,但有辐照。辐照施主峰大小与快中子积分通量有关,通量愈大热快比愈小,辐照施主峰愈大。 |
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