| 一种新的深硅槽工艺技术 |
| |
| 引用本文： | 郑宜钧,王明善,贾永华,洪海燕. 一种新的深硅槽工艺技术[J]. 半导体技术, 2001, 26(3): 56-58 |
| |
| 作者姓名： | 郑宜钧 王明善 贾永华 洪海燕 |
| |
| 作者单位： | 信息产业部无锡微电子科研中心，江苏无锡 214045 |
| |
| 摘 要： | 提出采用离子注入方法提高主掩膜光刻胶的耐干法腐蚀和腐蚀窗口硅的腐蚀速率，实现了在比较简陋的干法腐蚀设备上采用反应离子腐蚀模式进行深/浅硅槽工艺。
|
| 关 键 词： | 深硅槽 硅隔离 离子注入 光刻 腐蚀 |
| 文章编号： | 1003-353X(2001)03-0056-03 |
| 修稿时间： | 2000-03-20 |
A new technology of deep-trench |
| |
| ZHENG Yi-jun,WANG Ming-shan,JIA Yong-hua,HONG Hai-yan. A new technology of deep-trench[J]. Semiconductor Technology, 2001, 26(3): 56-58 |
| |
| Authors: | ZHENG Yi-jun WANG Ming-shan JIA Yong-hua HONG Hai-yan |
| |
| Abstract: | A new method to enhance the dry etch-resistant of the main mask photoresist and the etch rate for etching Si as window is presented. Deep/shallow trench technology has been realized on simple and crude dry-etch equipment. |
| |
| Keywords: | deep trench insulate on Si |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
