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CNx薄膜的制备和光电性能
引用本文:张加涛,曹传宝,朱鹤孙.CNx薄膜的制备和光电性能[J].材料研究学报,2003,17(4):432-438.
作者姓名:张加涛  曹传宝  朱鹤孙
作者单位:北京理工大学材料科学研究中心
基金项目:国家自然科学基金,高等学校博士学科点专项科研项目,20171007,1999000718,,
摘    要:以单晶硅片(100)和镀Pt硅片为衬底,用电化学沉积方法在阴极制备出CNx薄膜(x接近于1),薄膜的表面平滑,颗粒均匀.热处理后得到了β-C3N4和α-C3N4多晶结构薄膜.热处理温度的提高使薄膜中的C≡N键逐渐减少而消失,氮元素的流失使薄膜中非晶碳的成分增多,但是薄膜中碳氮逐渐以sp3C-N为主.薄膜的能带在1.1~1.8 eV之间,氮含量对能带大小影响较大.热处理使薄膜的电阻率(高于108Ω@cm)变化不大.氮含量影响PL谱中3.0和3.5 eV处发射峰的峰强,不影响峰位.

关 键 词:无机非金属材料  CNx薄膜  电化学沉积  光电性能
文章编号:1005-3093(2003)04-0432-07
修稿时间:2002年9月9日

Preparation and photo-electrical properties of CNx films
ZHANG Jiatao CAO Chuanbao ZHU Hesun.Preparation and photo-electrical properties of CNx films[J].Chinese Journal of Materials Research,2003,17(4):432-438.
Authors:ZHANG Jiatao CAO Chuanbao ZHU Hesun
Abstract:
Keywords:inorganic non-metallic materials  CNX thin films  electrodeposition  optical electron- ical properties
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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