| 氮化硅薄膜制备和生长动力学研究进展 |
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| 引用本文： | 祝洪良,裴艳丽,杨德仁. 氮化硅薄膜制备和生长动力学研究进展[J]. 材料导报, 2002, 16(12): 34-36 |
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| 作者姓名： | 祝洪良 裴艳丽 杨德仁 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 摘 要： | 综述了氮化硅在微电子中的应用、制备，阐述了用氮气直接氮化的影响因素、膜生长的机理和动力学，以及未来的研究方向。
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| 关 键 词： | 氮化硅薄膜 制备 研究进展 氮化 动力学 生长机理 陶瓷 |
Silicon Nitride :Preparation and Current Research on Growth Kinetics |
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| ZHU Hongliang PEI Yanli YANG Deren. Silicon Nitride :Preparation and Current Research on Growth Kinetics[J]. Materials Review, 2002, 16(12): 34-36 |
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| Authors: | ZHU Hongliang PEI Yanli YANG Deren |
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| Abstract: | This paper summarizes the application in microelectronics and the preparation of silicon nitride.Influencing factors,growth mechanism,kinetics of nitndation in nitrogen and research focus are discussed. |
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| Keywords: | silicon nitride nitridation kinetics silicon growth mechanism |
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