| GaN的MOVPE生长和m－i－n型蓝光LED的试制 |
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| 引用本文： | 陆大成,刘祥林,汪度,王晓晖,林兰英.GaN的MOVPE生长和m－i－n型蓝光LED的试制[J].高技术通讯,1996(3). |
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| 作者姓名： | 陆大成 刘祥林 汪度 王晓晖 林兰英 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体村料开放实验室 |
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| 摘 要： | 利用自行研制的常压ＭＯＶＰＥ设备和全部国产ＭＯ源，采用低温生长缓冲层技术，在蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上获得了高质量的ＧａＮ外延层。未掺杂的ＧａＮ外延层的室温电子迁移率已达１１４ｃｍ２／Ｖ．ｓ，载流于浓度为２×１０１８。７７Ｋ光致发光谱近带边发射峰波长为３６５ｎｍ，其线宽为４ＤｍｅＶ。Ｘ射线双晶衍射回摆曲线的线宽为３６０ａｒｃｓｅｃ。用Ｚｎ掺杂生长了绝缘的ｉ－ＧａＮ层。在此基础上研制了ｍ－ｉ－ｎ型ＧａＮ的ＬＥＤ，并在室温正向偏压下发出波长为４５５ｎｍ的蓝光。
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| 关 键 词： | 蓝色发光二极管 金属有机物气相外延 GaN |
MOVPE Growth of GaN and m-i-n Type GaN LED |
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| Lu Dacheng,Liu Xianglin,Wang Du,Wang Xiaohui,Lin Lanying.MOVPE Growth of GaN and m-i-n Type GaN LED[J].High Technology Letters,1996(3). |
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| Authors: | Lu Dacheng Liu Xianglin Wang Du Wang Xiaohui Lin Lanying |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Blue-LED MOVPE GaN |
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