| 高压VDMOSFET导通电阻的优化设计 |
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| 引用本文： | 白朝辉,王标. 高压VDMOSFET导通电阻的优化设计[J]. 现代电子技术, 2007, 30(16): 174-176 |
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| 作者姓名： | 白朝辉 王标 |
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| 作者单位： | 西安卫光科技有限公司,陕西,西安,710065 |
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| 摘 要： | 以500 V VDMOS为例,首先分析了高压VDMOS导通电阻与电压的关系,重点讨论穿通型VDMOS的外延厚度与器件的耐压和导通电阻的关系。给出对高压VDMOS外延层厚度的优化方案,并基于理论分析在器件仿真设计软件平台上成功完成了耐压500 V、导通电阻0.85Ω的功率VDMOS器件的设计和仿真。
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| 关 键 词： | 穿通型VDMOS 优化外延层 导通电阻 |
| 文章编号： | 1004-373X（2007）16-174-03 |
| 收稿时间： | 2007-04-09 |
| 修稿时间： | 2007-04-09 |
Optimization Design of the On - resistance for High Voltage VDMOSFET |
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| BAI Zhaohui,WANG Biao. Optimization Design of the On - resistance for High Voltage VDMOSFET[J]. Modern Electronic Technique, 2007, 30(16): 174-176 |
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| Authors: | BAI Zhaohui WANG Biao |
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| Keywords: | VDMOS |
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