| 低温热压氮化硅的烧结机理 |
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| 引用本文： | 袁力建,严东生.低温热压氮化硅的烧结机理[J].硅酸盐学报,1989,17(6):530-536. |
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| 作者姓名： | 袁力建 严东生 |
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| 作者单位： | 上海交通大学材料工程系
(袁力建)，中国科学院上海硅酸盐研究所
(严东生)，中国科学院上海硅酸盐研究所(茅志琼) |
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| 摘 要： | 选择了一种MgO-Al_2O_3-SiO_2系统添加剂,能在1550℃的较低温度(约10wt％液相量,30MPa)将氮化硅材料热压致密化。由于氮化硅和碳纤维在此较低温度能够共存,从而使氮化硅有可能和碳纤维构成复合材料,以改善氮化硅的脆性。 本文研究了在1450—1650℃温度范围内,有液相存在的氮化硅的热压烧结机理和动力学。发现致密化过程与Kingery液相烧结机理较为吻合。过程溶解-扩散-再沉淀阶段的动力学可用ΔL/L_0=K·t~(1/n)表述。温度的差异明显地影响致密化速率;压力和液相量对致密化速率亦有较大影响。
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| 关 键 词： | 氮化硅 烧结机理 低温热压烧结 |
MECHANISM AND KINETICS OF SINTERING OF HOT-PRESSED SILICON NITRIDE AT LOWER TEMPERATURES |
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| Yuan Lijian.MECHANISM AND KINETICS OF SINTERING OF HOT-PRESSED SILICON NITRIDE AT LOWER TEMPERATURES[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,1989,17(6):530-536. |
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| Authors: | Yuan Lijian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si_3N_4 mechanism and kinetics of sintering hot-pressing at lower temperatures |
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