| Lu2SiO5:Ce晶体生长中存在的主要问题 |
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| 引用本文： | 秦来顺,任国浩,李焕英,陆晟,裴钰.Lu2SiO5:Ce晶体生长中存在的主要问题[J].硅酸盐学报,2004,32(11):1361-1366. |
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| 作者姓名： | 秦来顺 任国浩 李焕英 陆晟 裴钰 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(50272072)资助项目. |
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| 摘 要： | 用提拉法生长了φ40 mm×60 mm的Lu2SiO5Ce(LSOCe)晶体,讨论了晶体生长中存在的3个主要问题(1)偏组分;(2)铱金坩埚的被熔蚀和挥发;(3)LSO晶体中的包裹体.生长LSO晶体过程中SiO2容易挥发,在籽晶夹和炉膛内结晶成方石英相,造成组分偏析;在高温下铱金坩埚会被熔蚀,铱则会直接挥发,熔体中出现铱金碎片,严重影响接种、缩颈工艺等,所生长晶体表面也会粘附很多铱金颗粒,采用双抽双充气的办法减弱了铱金的挥发,基本上克服了铱金的干扰;LSO晶体中出现的包裹物主要是Lu2O3,也有极少量的气孔,Lu2O3主要是由于固相反应不彻底和SiO2挥发引起的.
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| 关 键 词： | 硅酸镥晶体 闪烁晶体 提拉法 组分偏析 铱坩埚 |
| 文章编号： | 0454-5648(2004)11-1361-06 |
| 修稿时间： | 2004年2月20日 |
MAIN PROBLEMS IN THE GROWTH OF Lu2SiO5:Ce SCINTILLATION CRYSTALS |
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