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| 子单元长期存放对焊接质量的影响 | |
| 引用本文： | 郭大伟,黄小娟,王晓丽.子单元长期存放对焊接质量的影响[J].电子产品世界,2022,29(1):68-71. |
| 作者姓名： | 郭大伟 黄小娟 王晓丽 |
| 作者单位： | 中国中车永济电机有限公司,山西永济710016 |
| 摘 要： | 长期进行IGBT器件焊接封装发现,IGBT器件封装所用关键部件子单元的存放时间长短对焊接空洞影响较大,本文分别对两批存放时间差别较大的子单元进行封装,通过实验对比两批产品的空洞率,结果表明存放时间较短的子单元焊接的IGBT器件空洞率明显偏小,从而提高了IGBT器件的可靠性. |
| 关 键 词： | IGBT 焊接 封装 空洞率 子单元 |
Influence of long-term storage of subunits on welding quality |
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