| 基于忆阻器的感存算一体技术综述 |
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| 引用本文： | 张章,李超,韩婷婷,许傲,程心,刘钢,解光军.基于忆阻器的感存算一体技术综述[J].电子与信息学报,2022,43(6):1498-1509. |
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| 作者姓名： | 张章 李超 韩婷婷 许傲 程心 刘钢 解光军 |
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| 作者单位： | 合肥工业大学电子科学与应用物理学院 合肥 230601;上海交通大学电子信息与电气学院 上海 200240 |
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| 摘 要： | 忆阻器的低功耗、高响应、纳米级、非易失性等特性,在实现非冯·诺依曼计算架构中展现出巨大潜力.基于忆阻器的高密度横梁阵列可实现数据存储及并行计算一体的逻辑电路和类脑计算电路.此外,纳米传感器与忆阻器进一步集成,采集的信号直接送往忆阻器阵列进行运算和存储,感知、存储与计算一体化的芯片技术成为新的研究热点.该文对基于忆阻器的存算一体技术、感存算一体技术的研究现状进行综述,并给出研究前景展望.
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| 关 键 词： | 忆阻器 感存算一体 非冯·诺依曼计算架构 |
Review of the Fused Technology of Sensing,Storage and Computing Based on Memristor |
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| ZHANG Zhang,LI Chao,HAN Tingting,XU Ao,CHENG Xin,LIU Gang,XIE Guangjun.Review of the Fused Technology of Sensing,Storage and Computing Based on Memristor[J].Journal of Electronics & Information Technology,2022,43(6):1498-1509. |
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| Authors: | ZHANG Zhang LI Chao HAN Tingting XU Ao CHENG Xin LIU Gang XIE Guangjun |
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