| 1-18GHz GaAs单片集成电调衰减器 |
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| 引用本文： | 李毅,陈克金.1-18GHz GaAs单片集成电调衰减器[J].固体电子学研究与进展,1990,10(2):129-136. |
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| 作者姓名： | 李毅 陈克金 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所
(李毅，陈克金，陈继义)，南京电子器件研究所(林金庭) |
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| 摘 要： | 本文叙述了单片宽带GaAs MESFET电调衰减器的设计和制作.单片微波集成衰减器由3个MESFET按T型连接构成,整个芯片的尺寸为1.02×0.72mm.在1～18GHz范围内,插入损耗为2.0～2.7dB,各衰减状态下的输入和输出电压驻波比≤2.0,最大衰减量达20dB.在9GHz下的1dB插入压缩点功率为300mW.
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| 关 键 词： | 衰减器 单片集成 电调 GaAs |
An 1-18GHz GaAs MMIC Voltage-Variable Attenuator |
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| Abstract: | This paper presents the design and the fabrication of a monolithic wideband GaAs MESFET voltage-variable attenuator. The monolithic integrated attenuator consists of three GaAs MESFETs connected in a T type with a total chip size of 1.02 × 0.72mm, and shows aa insertion loss of 2.0-2.7dB and a maximum attenuation of 20dB in the 1-18GHz frequency range. The input and output VSWR are bettor than 2:1. The 1dB compression input power for the GaAs MESFET attenuator is measured to be 300mW at 9GHz. |
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| Keywords: | |
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