| 半导体激光器等效电路模型及其参数提取 |
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| 引用本文： | 王晴岚,徐利. 半导体激光器等效电路模型及其参数提取[J]. 半导体光电, 2016, 37(1): 186-189 |
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| 作者姓名： | 王晴岚 徐利 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所；;重庆光电技术研究所；;重庆光电技术研究所； |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（11305057）；湖北汽车工业学院博士基金项目（BK201302） |
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| 摘 要： | 采用无掩模反应离子刻蚀法制备了黑硅。利用扫描电子显微镜及紫外-可见-近红外分光光度计研究了黑硅的微结构和光学特性。结果表明,黑硅微结构高度为2.0~3.5μm,径向尺寸90~400nm,间距200~610nm。在400~1 000nm光谱范围内黑硅吸收率为94%,是单晶硅的1.5倍;在1 200~1 700nm光谱范围吸收率为55%~60%,是B掺杂单晶硅的20倍。制备的黑硅的光学带隙为0.600 6eV,吸收光谱明显向红外方向偏移。 更多还原
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| 关 键 词： | 黑硅； 反应离子刻蚀； 无掩模； 光学性能； |
| 收稿时间： | 2015-05-08 |
Equivalence Model of Semiconductor Laser and Parameters Extraction |
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| Abstract: | By discussing the DFB laser equivalence model based on rate equations, every parameter value of the equation was obtained. Detail analysis showes that this model can be used in co-simulation with the laser package and the end to end simulation result is obtained, which is helpful for improving optical module design efficiency. |
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| Keywords: | DFB laser rate equation S parameters |
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