800MHz CMOS低噪声放大器的设计 |
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引用本文: | 陈继新 洪伟 严蘋蘋 殷晓星 程峰. 800MHz CMOS低噪声放大器的设计[J]. 微波学报, 2005, 21(1): 107-111 |
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作者姓名: | 陈继新 洪伟 严蘋蘋 殷晓星 程峰 |
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作者单位: | 陈继新(东南大学无线电工程系毫米波国家重点实验室,南京,210096) 洪伟(东南大学无线电工程系毫米波国家重点实验室,南京,210096) 严蘋蘋(东南大学无线电工程系毫米波国家重点实验室,南京,210096) 殷晓星(东南大学无线电工程系毫米波国家重点实验室,南京,210096) 程峰(东南大学无线电工程系毫米波国家重点实验室,南京,210096) |
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基金项目: | 国家自然科学基金重点项目(No.90307016)资助 |
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摘 要: | 本文采用0.25μm CMOS工艺,设计和研制了800MHz频段低噪声放大器.放大器采用共源共栅结构,芯片内部埋置了螺旋电感.放大器的增益为16.4dB、噪声系数小于1.3dB、工作电压2.5V时,功耗为35mW.测试结果达到了设计指标,一致性良好.
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关 键 词: | 低噪声放大器 CMOS 噪声系数 增益 1dB压缩点 |
修稿时间: | 2004-07-12 |
Design and Implementation of 800MHz CMOS LNA |
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