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800MHz CMOS低噪声放大器的设计
引用本文:陈继新 洪伟 严蘋蘋 殷晓星 程峰. 800MHz CMOS低噪声放大器的设计[J]. 微波学报, 2005, 21(1): 107-111
作者姓名:陈继新 洪伟 严蘋蘋 殷晓星 程峰
作者单位:陈继新(东南大学无线电工程系毫米波国家重点实验室,南京,210096)      洪伟(东南大学无线电工程系毫米波国家重点实验室,南京,210096)      严蘋蘋(东南大学无线电工程系毫米波国家重点实验室,南京,210096)      殷晓星(东南大学无线电工程系毫米波国家重点实验室,南京,210096)      程峰(东南大学无线电工程系毫米波国家重点实验室,南京,210096)
基金项目:国家自然科学基金重点项目(No.90307016)资助
摘    要:本文采用0.25μm CMOS工艺,设计和研制了800MHz频段低噪声放大器.放大器采用共源共栅结构,芯片内部埋置了螺旋电感.放大器的增益为16.4dB、噪声系数小于1.3dB、工作电压2.5V时,功耗为35mW.测试结果达到了设计指标,一致性良好.

关 键 词:低噪声放大器  CMOS  噪声系数  增益  1dB压缩点
修稿时间:2004-07-12

Design and Implementation of 800MHz CMOS LNA
Abstract:
Keywords:
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