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| 国内首次用分子束外延生长出短周期InAa／GaSb超晶格 | |
| 摘 要： | 中科院半导体研究所超晶格国家重点实验室采用分子束外延技术，成功地在GaAs村底上生长出高质量Gasb厚膜材料和2～3μm波段InAs／GaSb超晶格材料。这是国内首次用分子束外延技术在GaAs衬底上生长出短周期InAs／GaSb超晶格。 |
| 关 键 词： | 分子束外延生长 超晶格材料 GaSb 短周期 InAa 国内 分子束外延技术 GaAs衬底 |
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