| 发展中的SiCOI技术 |
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| 引用本文： | 张永华,彭军. 发展中的SiCOI技术[J]. 微电子学, 2002, 32(2): 81-85 |
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| 作者姓名： | 张永华 彭军 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学,微电子研究所,陕西,西安,710071 |
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| 摘 要： | SiCOI技术是SiC材料与SOI技术结合而形成的一种新的微电子技术，它的产生与发展不仅推动SIC半导体技术的发展，还将弥补SI SOI技术应用的局限性，并将在高温、高频、大功率、抗辐射等电子学领域得到应用的发展。文章介绍了近年来SiCOI技术的最新进展和简要评述。
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| 关 键 词： | 绝缘层上碳化硅 注氧隔离 晶片键合 蓝宝石上碳化硅 微电子技术 碳化硅半导体 |
| 文章编号： | 1004-3365(2002)02-0081-05 |
| 修稿时间： | 2001-06-08 |
The Developing Technology for Silicon Carbide on Insulator |
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| ZHANG Yong hua,PENG Jun. The Developing Technology for Silicon Carbide on Insulator[J]. Microelectronics, 2002, 32(2): 81-85 |
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| Authors: | ZHANG Yong hua PENG Jun |
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| Abstract: | As a new microelectronics technology formed by combining SiC with SOI technology, SiCOI technology is anticipated to accelerate the development and application of SiC and enhance existing Si SOI technology It is a promising technology for many applications, such as high temperature, high power, high frequency and radiation hardening devices The latest development of SiCOI technology is presented and evaluated in the paper |
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| Keywords: | SiCOI SIMOX Wafer bonding Smart cut SiCOS |
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