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| 低温铝钎料的研制及使用方法 | |
| 作者姓名： | 李东升 左其培 |
| 作者单位： | 北京伦琴信达科技开发有限公司, |
| 摘 要： | 在研制某半导体集成器件时，需要在其0.5 μm铝膜上钎焊“引出电极”。由于该集成器 件芯片是高纯产品，其钎焊时温度不允许超过200 ℃，不能承受一般的机械应力，钎焊时绝 不允许使用任何形式的助焊剂，要求条件极为苛刻。给“引出电极”的钎焊带来了很大的困 难。采用其它钎焊方法，效果均不满意，为了解决上述难题，专门研制了低温铝钎料。1 低温铝钎料的研制1.1 技术要求(1)无需采用任何形式的助焊剂；(2)焊前铝层或薄铝层的自然氧化膜不用处理，防止不必 要的机械应力损伤；(3)钎料的熔点要远低于200 ℃热应力损伤临界点；(4)润湿性好… |
| 关 键 词： | 低温铝钎料 薄铝层 研制 使用 半导体集成器件 钎焊 |
| 文章编号： | 1002 025X(2001)04 0056 01 |
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