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| 1.3μm InGaAsP／InP全金属化耦合封装侧面发光二极管 | |
| 引用本文： | 朱志文,李金良.1.3μm InGaAsP／InP全金属化耦合封装侧面发光二极管[J].半导体光电,1991,12(2):128-132. |
| 作者姓名： | 朱志文 李金良 |
| 作者单位： | 重庆光电技术研究所，重庆光电技术研究所，重庆光电技术研究所，重庆光电技术研究所，重庆光电技术研究所，重庆光电技术研究所 重庆永川 632163，重庆永川 632163，重庆永川 632163，重庆永川 632163，重庆永川 632163，重庆永川 632163 |
| 摘 要： | 本文报导1.3μm InGaAsP/InP内条限制部分注入全金属化耦合封装侧面发光二极管的结构、制作及器件特性。在100mA工作电流下,器件尾纤出纤功率典型值40μW,最大超过60μW,光谱宽度70nm,上升/下降时间小于2.5ns。该器件是中短距离,中小容量光纤通信系统和光测量系统的理想光源。 |
| 关 键 词： | 光纤通信 发光二极管 金属化 封装 |
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