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| 铟掺杂二氧化锡透明导电性的第一性原理研究 | |
| 引用本文： | 梁景南,符春林,蔡苇,郭倩,张朝阳.铟掺杂二氧化锡透明导电性的第一性原理研究[J].稀有金属材料与工程,2012(Z2):197-200. |
| 作者姓名： | 梁景南 符春林 蔡苇 郭倩 张朝阳 |
| 作者单位： | 重庆科技学院;中国工程物理研究院 |
| 基金项目： | 重庆市自然基金(CSTC2010bb4286);重庆市教委科学技术项目(KJ101415) |
| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论(DFT)的赝势平面波法,对一系列掺杂In含量不同的SnO2(ITO)的电子结构进行第一性原理研究。结果表明:随着铟含量的增加,ITO的禁带宽度逐渐增加,导电性能逐渐降低,其中铟含量为6.25%(原子分数)的禁带宽度约为0,ITO导电性最佳;当ITO薄膜厚度为1μm时,通过掺杂能够有效地提高其透明度,在可见光光谱中铟含量为6.25%的ITO透过率最佳。 |
| 关 键 词： | 二氧化锡 第一性原理 透明导电性 掺杂 |
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