| 一种半绝缘键合SOI新型BCD结构 |
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| 引用本文： | 谭开洲,杨谟华,徐世六,刘玉奎,李肇基,刘勇,冯建. 一种半绝缘键合SOI新型BCD结构[J]. 半导体学报, 2007, 28(5): 763-767 |
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| 作者姓名： | 谭开洲 杨谟华 徐世六 刘玉奎 李肇基 刘勇 冯建 |
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| 作者单位： | 电子科技大学 |
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| 基金项目： | 国家微电子预研资助项目 |
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| 摘 要： | 提出了一种采用半绝缘SOI的新型BCD结构,该结构把高压大电流VDMOS,CMOS和双极器件同时可靠地集成在一起,其特点是集成了垂直导电的VDMOS.这种结构在汽车电子、抗辐射、强电磁脉冲环境等领域有较好的潜在应用.BCD样品芯片垂直导电VDMOS击穿电压为160V,导通电阻为0.3Ω,比导通电阻为26mΩ·cm2;npn,pMOS,nMOS击穿电压分别为50,35,30V;npn管β为120,ft为700MHz.
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| 关 键 词： | BCD 半绝缘SOI VDMOS 功率集成电路 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)05-0763-05 |
| 修稿时间： | 2006-11-20 |
A Novel BCD Structure with Semi-Insulation Bonding SOI |
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| Tan Kaizhou,Yang Mohu,Xu Shiliu,Liu Yukui,Li Zhaoji,Liu Yong and Feng Jian. A Novel BCD Structure with Semi-Insulation Bonding SOI[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(5): 763-767 |
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| Authors: | Tan Kaizhou Yang Mohu Xu Shiliu Liu Yukui Li Zhaoji Liu Yong Feng Jian |
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| Affiliation: | School of Microelectronics and Solid-State Electronics,University of ElectronicScience and Technology,Chengdu 610054,China;National Laboratory of Analog Integrated Circuits,Chongqing 400060,China;School of Microelectronics and Solid-State Electronics,University of ElectronicScience and Technology,Chengdu 610054,China;National Laboratory of Analog Integrated Circuits,Chongqing 400060,China;National Laboratory of Analog Integrated Circuits,Chongqing 400060,China;School of Microelectronics and Solid-State Electronics,University of ElectronicScience and Technology,Chengdu 610054,China;National Laboratory of Analog Integrated Circuits,Chongqing 400060,China;National Laboratory of Analog Integrated Circuits,Chongqing 400060,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | BCD semi-insulation SOI VDMOS power integrated circuit |
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