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一种低功耗16 bit逐次逼近型ADC的设计
引用本文:王思远,李琨,叶明远,张涛.一种低功耗16 bit逐次逼近型ADC的设计[J].电子与封装,2023(5):62-69.
作者姓名:王思远  李琨  叶明远  张涛
作者单位:中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘    要:设计了一种低功耗的16 bit 1 MSa/s逐次逼近型(SAR)模数转换器(ADC)。低功耗设计来源于电容阵列,其由3段子电容阵列构成,之间的桥接电容通过冗余电容和权重电容整数化。在电容阵列的切换过程中,通过将电容分裂来引入额外的参考电压。通过对量化噪声和热噪声的计算,可以精确地得出所需的电容数量为225个单位,相比于传统的电容阵列形式,可以节省99.93%的面积和99.5%的功耗。电路中使用一个2级预放大,并添加了具有自校零功能的动态锁存比较器,确保了高精度分辨率。在UMC 55 nm工艺下仿真,对512点的FFT仿真结果显示,ADC的整体信噪比(SNR)能够达到85.98 dB,有效位数(ENOB)能够达到13.884 1 bit,在电源电压为2.5 V的情况下,平均功耗为5.05 mW。

关 键 词:SAR  ADC  低功耗  电容阵列  自校零比较器
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