8英寸Si基GaN HEMT薄膜材料的制备和研究 |
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作者姓名: | 吴勇 |
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作者单位: | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
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摘 要: | 氮化镓作为第三代半导体材料的代表,具有禁带宽度大、电子饱和速度高、热导率高、临界击穿电压高等优异的材料性能,所以在高频、高压、大功率器件方面具有非常广泛的应用前景。考虑到尺寸及成本的优势,在Si衬底上外延GaN已成为主要研究热点。通过使用MOCVD(金属有机化学气相沉积系统)成功在8英寸Si衬底上外延生长出AlGaN/GaN HEMT薄膜材料,结果表明外延片光滑无裂纹、具有低翘曲度、高均匀性、高结晶质量以及高的导通能力和耐压能力。
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关 键 词: | 8英寸Si衬底 高电子迁移率晶体管 二维电子气 外延生长 |
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