氧化镓材料与功率器件的研究进展 |
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引用本文: | 何云龙,洪悦华,王羲琛,章舟宁,张方,李园,陆小力,郑雪峰,马晓华.氧化镓材料与功率器件的研究进展[J].电子与封装,2023(1):69-76. |
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作者姓名: | 何云龙 洪悦华 王羲琛 章舟宁 张方 李园 陆小力 郑雪峰 马晓华 |
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作者单位: | 西安电子科技大学微电子学院 |
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摘 要: | 氧化镓(Ga2O3)以其禁带宽度大、击穿场强高、抗辐射能力强等优势,有望成为未来半导体电力电子领域的主力军。相比于目前常见的宽禁带半导体SiC和GaN,Ga2O3的Baliga品质因数更大、预期生长成本更低,在高压、大功率、高效率、小体积电子器件方面更具潜力。对Ga2O3外延材料、功率二极管和功率晶体管的国内外最新研究进行了概括总结,展望了Ga2O3在未来的应用与发展前景。
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关 键 词: | Ga2O3 外延材料 功率二极管 功率晶体管 |
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