塑封集成电路中铜丝键合的腐蚀及其评价

腐蚀是影响塑封集成电路铜丝键合可靠性的重要因素，其与湿度、温度、Cl离子摩尔分数以及电位密切相关。针对Ni Pd Ag Au预镀框架与纯铜丝第二键合点的腐蚀失效现象，研究其评价方法，并通过实际工况分析采用不同浓度的NaCl溶液进行预处理以及电位对腐蚀结果的影响。将样品置于质量分数分别为0.5%、2.0%与5.0%的NaCl溶液中，对其进行高温、高湿预处理24 h，再进行96 h的高加速应力试验。结果表明，采用质量分数为5.0%的NaCl溶液进行预处理对加速腐蚀更有效，且腐蚀的键合点多数位于低电位引脚，少数位于高电位引脚。