面向下一代GaN功率技术的超薄势垒AlGaN/GaN异质结功率器件 |
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作者姓名: | 黄森 张寒 郭富强 王鑫华 蒋其梦 魏珂 刘新宇 |
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作者单位: | 1. 中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心;2. 中国科学院大学集成电路学院 |
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基金项目: | 中国科学院前沿科学重点研究项目(QYZDB-SSW-JSC012);;国家自然科学基金项目(62074161,6221101004,62004213,U20A20208);;国家重点研发计划(2018YFE0125700); |
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摘 要: | Al GaN/GaN异质结型功率电子器件具有高工作温度、高击穿电压、高电子迁移率等优点,在推动下一代功率器件小型化、智能化等方面具有很大的材料和系统优势。从5种实现增强型GaN基功率电子器件的方法入手,重点介绍了采用超薄势垒Al GaN(小于6 nm)/GaN异质结实现无需刻蚀Al GaN势垒层的GaN基增强型器件的物理机理和实现方法。同时介绍了在超薄势垒Al GaN/GaN异质结构上实现增强型/耗尽型绝缘栅高电子迁移率晶体管单片集成的研究进展,进一步论证了在大尺寸Si基Al GaN/GaN超薄势垒平台上同片集成射频功率放大器、整流二极管、功率三极管等器件的可行性,为Si基GaN射频器件、功率器件、驱动和控制电路的单片集成奠定了技术基础。
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关 键 词: | 氮化镓 功率电子器件 Al GaN/GaN异质结 超薄势垒 增强型 功率集成 |
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