一种应用于Sub-6G的宽带低功耗低噪声放大器 |
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作者姓名: | 倪城 王毅炜 杨定坤 |
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作者单位: | 1. 武汉科技大学信息科学与工程学院;2. 成都振芯科技股份有限公司 |
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摘 要: | 提出了一种工作频率覆盖Sub-6G的宽带低噪声放大器(LNA),该电路采用电阻自偏置AB类放大器级联共源共栅放大器的结构,在实现宽带工作的同时兼具高增益、低功耗的特点。该LNA采用TSMC 40 nm CMOS工艺,在1.3 V工作电压下,增益高于26 d B,噪声系数低于2.6 d B,三阶输入交调截点为-4.6 d Bm@6 GHz,1 d B压缩点为3.4 d Bm@6 GHz,静态功耗仅为0.94 m W,版图面积为0.014 mm2。
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关 键 词: | 低噪声放大器 TSMC 40nm CMOS 宽带 低功耗 |
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